삼성전자, 온라인 포럼서 기술 로드맵 공개
사진은 삼성전자 평택캠퍼스 항공 사진. 연합뉴스
삼성전자가 차세대 기술 적용으로 2025년부터 2나노미터(1나노=10억 분의 1) 칩 생산에 들어갈 것이라고 7일 밝혔다. 이는 그간 공개된 해외 반도체 위탁생산(파운드리) 기업들의 향후 청사진 가운데 기술 측면에선 가장 앞선 행보다.
최근 글로벌 파운드리 회사 간에 미세공정 경쟁이 치열한데, 대규모 투자로 생산능력을 키우고 첨단 기술력 확보로 시장을 선도하겠다는 전략으로 풀이된다.
삼성전자는 이날 온라인으로 열린 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 통해 2025년 2나노 칩 양산 계획을 처음으로 공개했다. 특히 삼성전자의 2나노 공정에는 3세대 게이트올어라운드(GAA) 기술이 도입된다.
GAA는 기존 '핀펫' 기술에 비춰볼 때 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있다는 점에서 차세대 기술로 꼽힌다. 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 당시 내년 1세대 GAA 기술을 적용해 3나노 칩을 양산하고 2023년에는 2세대 GAA 기술로 3나노 칩을 선보이겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자가 이번에 공개한 3세대 GAA 기술을 이용한 2나노 칩 공정은 기술력으로 따지면 해외 파운드리보다 2세대나 앞선 것이다. 해외 파운드리 기업들은 2024년 2나노 공정에 GAA 구조를 처음 적용할 것으로 알려졌다.
현재까지 나온 가장 최신 공정은 5나노로 이 공정을 상용화하는 데 성공한 기업은 전 세계에서 TSMC와 삼성전자뿐이다. 양사의 목표는 내년 3나노 공정 양산인데, 현재 10~7나노 수준에 불과한 인텔은 최근 4년 만에 이를 뛰어넘겠다고 선언한 바 있다. 2024년까지 2나노 칩을 만들겠다고 한 것이다.
하지만 업계에서는 세계 1위 TSMC와 치열한 미세 공정 경쟁을 벌이고 있는 삼성전자가 계획대로 GAA 기술을 활용해 칩 양산에 성공할 경우 시장 판도도 바뀔 것이란 전망도 나온다. 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 1세대 GAA 공정을 시작으로 2025년 2나노 칩 양산에 성공하면 '첨단 칩 수주전'에서 새로운 기회를 얻어 TSMC와의 격차도 상당히 좁힐 수 있을 것"이라고 내다봤다.
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