첨단 TSV 접합 기술로 저전력·고용량 구현
AI 시스템·슈퍼컴퓨터 등에 탑재될 전망
SK하이닉스가 초고속 D램 'HBM2E'을 지난해 8월 개발한 이후 10개월 만에 본격적으로 양산한다고 2일 밝혔다. SK하이닉스 제공
SK하이닉스가 지금까지 출시된 D램 중 데이터 처리 속도가 가장 빠른 'HBM2E'를 시장에 내놨다. 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 시스템에 쓰이는 고대역폭 메모리(HBM) 제품으로, 1초에 고화질 영화 124편을 전송할 수 있는 성능을 지녔다.
2일 SK하이닉스가 본격 양산에 들어갔다고 밝힌 이 제품은 1,024개의 정보출입구에서 각각 초당 3.6기가비트(Gb)의 속도로 데이터를 처리한다. 1초에 총 460기가바이트(GB, 1GB=8Gb)의 데이터를 전달할 수 있는 것으로, 이는 풀HD(화소 1,920×1,080)급 영화 124편의 정보량과 맞먹는다.
이번 제품은 첨단 칩 접합기술인 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용, 용량을 기존 제품의 2배 수준인 16GB로 늘렸다. TSV는 각각 수천 개의 미세 구멍이 뚫린 얇은 D램 칩을 여러 층으로 쌓고 전극을 관통시키는 연결 기술로, 기존 패키징 기술에 비해 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄일 수 있다.
회사는 지난해 8월 HBM2E 개발에 성공한 뒤 10개월 준비를 거쳐 생산에 돌입했다. HBM은 빅데이터 처리를 기반으로 한 AI 시스템에 최적화된 메모리 칩으로 주목 받고 있다. 또 기상변화, 생물의학, 우주탐사 분야 연구를 주도할 슈퍼컴퓨터에도 탑재될 것으로 전망된다.
오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.
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