지난해 말 양산 시작한 삼성전자 추격
SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) 용량의 DDR(Double Data Rate)4 D램(사진)을 개발했다고 12일 밝혔다. 주로 PC에 탑재되는 고성능 D램으로, 내년 초 양산이 시작된다.
2세대 10나노급 DDR4 D램은 회로 선폭이 10나노미터(nmㆍ10억분의 1m) 중반대로 더 조밀해졌다. SK하이닉스가 지난해 4분기부터 생산 중인 1세대 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 선폭이 10나노미터 후반대다.
2세대 10나노급 D램은 1세대보다 생산성이 약 20% 향상됐고, 전력 소비량은 15% 이상 줄었다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도 3,200메가비피에스(Mbps)까지 안정적으로 구현된다.
지난해 12월 먼저 2세대 10나노급 D램 양산에 들어간 삼성전자를 추격 중인 SK하이닉스는 데이터 전송 속도를 높이고 오류를 줄이기 위한 독자 설계로 2세대 10나노급 D램을 완성했다. 곧 PC에 이어 서버용과 모바일기기 D램으로 적용 범위를 넓힐 계획이다.
SK하닉스 D램마케팅담당 김석 상무는 “고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 D램으로 시장 수요에 대응하겠다”고 밝혔다.
김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com
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