70억 달러 투입 2라인 기공
낸드플래시 메모리 세계 1위 삼성전자가 중국 산시성(陝西省) 시안(西安)의 반도체 공장을 두 배로 키워 독주 체제를 이어간다.
삼성전자는 28일 오전 시안 반도체공장 1라인 인근 부지에서 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗墟) 공신부 부장, 류궈중(劉國中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 삼성전자 부품(DS) 부문장 김기남 사장 등이 참석한 가운데 2라인 기공식을 열었다.
시안 2라인에는 3년간 70억달러(약 7조5,000억원)가 투입된다. 삼성전자가 2012년 9월 착공해 20개월 만에 완성한 1라인과 비슷한 투자액이다. 삼성전자는 2014년부터 시안 1라인에서 1세대 V낸드플래시를 양산하고 있는데, 가동률 100%여도 공급이 달리자 지난해 8월 산시성과 양해각서(MOU)를 체결하고 라인 증설을 추진했다.
이르면 내년 완공되는 시안 2라인은 3세대 64단 V낸드플래시 등을 양산해 중국 시장에 공급할 예정이다.
전원이 끊겨도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 반도체인 낸드플래시는 스마트폰 등 모바일 기기의 저장장치, 하드 디스크 드라이브(HDD)를 대체 중인 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등에 폭넓게 적용돼 수요가 계속 증가하고 있다. 특히 세계 최초로 평면 낸드플래시를 수직으로 쌓아 집적도를 높인 삼성전자의 V낸드는 최고 성능의 제품에 사용된다.
삼성전자가 시안 2라인을 가동하면 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 기업들의 생산기지가 집중된 중국시장의 요구에 원활히 대응할 수 있게 된다. 김기남 사장은 “시안 2라인에서 최고의 메모리를 생산해 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하겠다”고 말했다.
산시성은 삼성전자의 시안공장 확대가 지역 경제 활성화 및 중국 서부지역 산업에 긍정적 파급효과를 미칠 것으로 기대하고 있다. 류궈중 산시성장은 “삼성의 두 번째 프로젝트 착공을 축하한다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화하겠다”고 밝혔다.
김창훈 기자 chkim@hankookilbo.com
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