화성 최첨단 반도체 라인 착공
미세공정 위한 EUV 도입 등
초기 투자금만 6조5000억원
점유율 1위 대만 TSMC 추격 발판
이사회, 새 사외이사 3명 선임
이재용 부회장은 모습 안보여
삼성전자가 최첨단 반도체 생산 라인을 착공했다. 초기 투자금만 60억달러(6조5,000억원)다. 전 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 톱2로 도약을 목표로 한다.
23일 삼성전자는 경기도 화성캠퍼스에서 ‘화성 극자외선(EUV) 라인’ 기공식을 열고 첫 삽을 떴다. 기공식에는 권칠승 더불어민주당 의원(화성병), 황성태 화성시 부시장, 김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장), 정은승 DS부문 파운드리 사업부장(사장) 등이 참석했다. 지난 13일 항소심에서 집행유예로 풀려난 뒤 일체 대외활동을 하지 않고 있는 이재용 삼성전자 부회장의 모습은 이날도 보이지 않았다.
이번 신규 생산라인에는 EUV 장비가 본격적으로 도입돼 주목 받고 있다. 빛의 파장이 짧은 EUV를 활용해 아주 세밀하게 반도체 회로를 형성하는 장비로, 최근 한 자릿수 나노미터(㎚ㆍ10억 분의 1m) 단위까지 미세해지고 있는 공정에 필수적이다. EUV 장비 1대당 가격이 1,500억원에 달한다.
삼성전자 관계자는 “지금 쓰고 있는 불화아르곤(ArF) 광원 장비도 최신 기술이긴 하지만 파장이 길어 미세공정 한계 극복에는 역부족인데다, 공정도 복잡하고 길다”며 “EUV 기술이 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율을 높일 수 있을 뿐 아니라 회로를 형성하는 데 필요한 공정수도 줄어 생산성이 획기적으로 높아질 것”이라고 밝혔다.
화성 EUV 라인은 2019년 하반기 완공된다. 시험생산을 거친 뒤 2020년 본격 가동된다. 삼성전자는 새 라인으로 모바일, 서버 등 고성능 및 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장에 빠르게 대응한다는 방침이다. 2020년까지 6조5,000억원 투입 후 라인 가동 이후에는 시황에 따라 라인 증설 등에 추가 투자가 이어진다.
무엇보다 이번 대규모 투자는 EUV 라인을 활용한 7㎚ 이하 파운드리 공정 기술력을 주도, 상대적으로 부진했던 파운드리 경쟁력을 끌어올리겠다는 시도다. 전 세계 파운드리 시장에서 점유율 55.9%로 독주하는 대만 TSMC 추격전을 시작한다는 의미다. 삼성전자는 D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 분야에선 독보적 1위를 지키고 있지만 파운드리 시장에선 7.7%의 점유율(2017년 기준)로 세계 4위에 머무른다. 업계 관계자는 “TSMC는 EUV 장비는 5㎚ 공정에 쓰고 7㎚ 공정까지는 불화아르곤 장비로 가겠다고 했다”며 “반도체는 시간 싸움이라 삼성전자가 공정 기간이 더 짧은 EUV 장비를 선제적으로 도입한다는 결단을 내린 것”이라고 말했다.
김기남 삼성전자 DS부문장은 이날 기념사를 통해 “화성 신규라인 구축으로 화성캠퍼스는 기흥과 화성, 평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것”이라며 “삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생 협력을 통해 국가 경제에 기여하겠다”고 밝혔다.
한편 같은 날 경기도 수원 삼성전자 본사에서는 신임 이사 선임 안건을 가결하는 이사회가 열렸다. 새 사외이사로 미국 벨연구소 최연소 사장 출신이자 미국 실리콘밸리에서 설립한 통신장비업체 유리시스템즈를 1조1,000억원에 매각해 ‘벤처 신화’로 불리는 미국 국적의 김종훈 키스위모바일 회장을 비롯해, 김선욱 이화여대 교수(전 이화여대 총장), 박병국 서울대 교수가 추천됐다. 내달 임기가 끝나는 김한중 전 연세대 총장과 이병기 서울대 교수 후임이다. 외국 기업 수장과 여성 사외이사로 글로벌 전략과 다양성을 확보하려는 취지로 보인다. 이날 이사회도 이 부회장 참석 여부에도 관심이 쏠렸지만 불참했다.
맹하경 기자 hkm07@hankookilbo.com
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