삼성전자, 반도체 기술 한계 넘다

삼성전자가 2월부터 세계 최초로 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 양산했다고 5일 밝혔다. 2014년 세계최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 2년 만에 반도체 미세공정의 한계로 여겨졌던 10나노급 D램 시대를 연 것이다.

1나노는 10억분의 1m로 반도체 회로의 선폭을 재는 단위다. 숫자가 낮을수록 적은 전력으로 데이터를 빠르게 처리할 수 있는데, 높은 기술력이 있어야 제조할 수 있다.

삼성전자가 양산하는 18나노 D램은 기존 20나노 D램보다 데이터 전송속도는 30% 이상 빠르고 소비전력은 동작 상태에 따라 10~20%가 적게 든다.

경쟁업체들은 20나노 반도체의 품질을 높이려고 안간힘을 쏟고 있을 정도로 20나노는 반도체 제조에서 깨기 어려운 벽으로 받아들여졌다. 그러나 삼성전자가 초고집적 설계 등 기술력으로 이를 극복하면서 10나노 중반대의 차세대 D램도 조만간 양산할 수 있을 것으로 보인다. 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램을 출시해 모바일 기기 업체들이 더욱 혁신적인 제품을 출시하는데 기여할 것”이라고 말했다.

허정헌기자 xscope@hankookilbo.com