삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 D램 메모리반도체 개발에 성공했다.
삼성전자는 1일 30나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)을 지난달 개발했으며 올해 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 30나노급 공정이란 반도체 소자에 들어가는 회로의 선 폭이 30나노미터(nmㆍ1나노미터=10억분의 1미터)급임을 의미한다.
이 제품은 기존 40나노급 D램보다 생산성을 60% 가량 올릴 수 있고 50∼60나노급 D램에 비해선 두 배 이상의 원가 경쟁력을 갖고 있다. 또한 50나노급 D램에 비해 소비전력을 약 30% 가량 줄였으며 40나노급 D램에 비해 소비전력도 15% 이상 적다. 아울러 혁신적인 설계 기술을 적용, 종전 제품 대비 최대 40%까지 데이터처리 속도를 향상시켰다.
삼성전자측은“그 동안 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에선 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔지만, 이번에 자사가 40나노급 D램 개발 1년 만에 이런 한계를 극복해 냈다”고 설명했다. 회사 측은 이미 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR D램 단품과 노트북용 3기가바이트(GB) 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난달 중순까지 평가도 마친 상태다.
삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론, 노트북까지 ‘그린 메모리’의 판매 비중을 적극 확대해 나간다는 전략이다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌렸다”며 “이를 발판으로 시장 점유율을 지속적으로 확대해나갈 것”이라고 강조했다.
허재경 기자 ricky@hk.co.kr
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