전자회로 선 폭이 1나노미터(nm=10억분의 1m)에 불과한 실리콘 반도체소자를 제작할 수 있는 나노선 물성 제어기술이 국내 연구진에 의해 처음 개발됐다.
연세대 원자선원자막연구단 염한웅(42ㆍ사진) 교수팀은 2일 회로선 폭이 현재의 초고집적 실리콘 반도체소자의 50분의 1인 1nm 금속나노선을 실리콘 기판 위에 직접 대량으로 성장시키고 이를 소자에 응용할 수 있도록 불순물을 첨가해 전기적 특성을 제어하는 도핑기술을 개발했다고 밝혔다.
교육과학기술부의 ‘창의적 연구진흥사업’으로 수행된 이 연구결과는 물리학분야 최고 권위지 <피지컬 리뷰 레터스(physical review letters)> 3월 28일자에 이어 4월 9일자에 연속 게재된다.
염 교수는 “이 기술로 실리콘 반도체소자의 집적도를 획기적으로 높일 수 있을 것”이라며 “우리나라 반도체산업의 국제 경쟁력을 유지하고 미래 기술을 선점하는데 도움이 될 것”이라고 말했다.
송태희 기자 bigsmile@hk.co.kr
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