하이닉스반도체가 본격적인 삼성전자 추격에 나섰다.
김종갑 하이닉스반도체 사장은 28일 경기 이천 하이닉스 본사에서 주주총회를 열어 “올해 D램 메모리 반도체 분야의 1위 업체(삼성전자)와 격차를 크게 좁히겠다”고 밝혔다. 이를 위해 하이닉스는 올 3분기쯤 앞선 기술로 꼽히는 54나노 D램을 생산할 계획이다. 삼성전자는 2분기 말에 56나노 D램 생산을 시작할 예정이다.
하이닉스는 양산 시기는 늦지만 수율(웨이퍼 한 장당 얻을 수 있는 양호한 칩의 비율)에서 삼성전자를 앞지르겠다는 전략. 반도체는 수율에서 앞서면 자연 영업이익률이 올라간다. 하이닉스는 지난 2006년 80나노급 공정에서 삼성전자보다 기술 개발과 양산은 늦었지만, 수율에서 앞서 영업이익률 1위에 오른 적이 있다.
하이닉스 관계자는 “올해 목표는 수익률 1위 탈환”이라며 “지난해 60나노에서 삼성전자에 1위를 내줬지만 올해는 54나노급 수율에 자신있다”고 말했다.
또 원가 경쟁력이 떨어지는 200㎜ 웨이퍼 생산을 중단하고 300㎜ 웨이퍼 생산을 2012년까지 전체 생산량의 95% 수준까지 늘릴 계획이다. 현재 하이닉스는 이천, 청주, 중국 우씨공장에 300㎜ 웨이퍼 생산시설을 갖고 있으며 200㎜ 웨이퍼 생산라인은 이천, 청주, 미국 유진, 우씨 등에서 운영중이다.
이 가운데 우씨의 200㎜ 웨이퍼 생산 시설 일부를 비메모리 생산 시설 등으로 활용하고 나머지는 매각할 계획이다.
또 수익성을 높이기 위해 지난해 매출 비중 대비 1%였던 모바일 D램 생산을 올해 3~9%까지 늘릴 예정이다. 모바일 D램은 컴퓨터(PC)용 D램보다 가격이 2, 3배 높다.
문제는 공급 과잉으로 치닫는 시장 상황. 김 사장은 “D램은 하반기에 공급과잉 현상이 많이 완화돼 3분기에 가격이 반등될 것으로 보고 있지만 낸드플래시는 전망이 엇갈린다”며 “올해 여건이 좋지 않아 수익성 제고와 재무안정성 확보에 주력하겠다”고 말했다.
대신 투자는 적극 확대, 지난해 매출 대비 6%였던 기술투자를 올해 8%, 2010년 10%까지 늘릴 방침이다.
최연진 기자 wolfpack@hk.co.kr
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