삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이 제품은 올해 말부터 양산된다.
삼성전자는 이미 양산해온 512메가비트 D램 및 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 60나노급 1기가비트 DDR2 D램에 이어, 이번에 2기가비트 제품까지 확보함으로써 올 연말에는 DDR2 D램의 모든 제품에 대해 60나노급으로 양산전환을 끝내는 세계 유일의 업체가 된다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대속도인 667Mbps(초당 667메가비트 데이터 처리)에 비해 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps를 구현하며, 생산성도 40% 이상 올라간다.
또 8기가바이트(GB) 서버용 모듈과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈(UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공할 수 있게 된다.
삼성전자는 이와 함께 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 경우 30% 이상 전력을 절감할 수 있다고 덧붙였다.
반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성돼 2011년 140억 달러 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 전망이다.
삼성전자 관계자는 "60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 하반기부터 D램 시장 주요 제품을 기존의 512메가에서 1기가로 전환해 나가고 있다"며 "이번 60나노급 2기가 D램처럼 고용량, 고부가가치 제품의 지속적인 출시를 통해 D램시장을 주도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
박진용 기자 hub@hk.co.kr
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