D램의 기가 시대가 열렸다. 삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램 양산에 착수했다고 1일 밝혔다. 지난해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 양산, 세계 최초로 80나노 D램 시대를 개막한 바 있는 삼성전자가 채 1년도 안돼 80나노와 대비해 2세대나 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현한 셈이다.
60나노급 공정(머리카락 굵기의 약 2000분의 1)은 기존 80나노 공정과 대비해 40％ 이상, 현재 D램 업계의 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성이 높아 원가 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있다.
특히 60나노급 D램은 2005년 말 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로 삼성전자는 2000년 150나노급 이후 지난해 50나노급에 이르기까지 7세대 연속 최첨단 공정기술 세계 최초 개발이라는 진기록을 세웠다.
60나노급 D램은 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용할 수 있다. 올해는 윈도 비스타의 출시로 시스템 당 채용되는 평균 메모리 용량이 512Mb에서 최대 2Gb까지 확대됨으로써 1기가 D램의 시장 확대는 가속화할 전망이다.
한편 하이닉스반도체는 이르면 5월 60나노급 D램을 양산할 계획이다.
고찬유 기자 jutdae@hk.co.kr
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