삼성전자가 원낸드에 이어 제2의 퓨전 메모리 반도체인 ‘원D램(one DRAM)’을 세계 최초로 개발했다.
황창규 삼성전자 반도체 총괄사장은 12일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 개막한 국제전기전자공학회(IEEE) 산하 국제전자소자학회(IEDM)에서 “원D램 개발에 성공했다”고 공식 발표했다.
원D램은 모바일 D램과 S램 등 두 종류의 데이터 전송 메모리를 하나의 D램으로 대체한 신개념의 퓨전 메모리다. 휴대폰에 적용할 경우 통신기능 중앙처리장치(CPU)와 미디어기능의 CPU가 각각 따로 사용해야 했던 2개의 D램을 하나로 통합할 수 있어 CPU간 정보처리 속도는 5배나 빨라지게 된다.
또 2개의 메모리가 1개로 줄어드는 만큼 회로면적도 50% 줄일 수 있어 휴대폰의 초슬림화ㆍ초소형화가 가능해진다. 전력소비도 30% 가량 감소해 휴대폰 배터리의 수명이 길어지는 효과도 기대된다.
삼성전자는 내년 2분기부터 일부 양산에 들어가 3분기부터 주요 휴대폰 업체에 칩을 공급할 계획이다. 삼성전자는 원D램의 시장규모가 2011년까지 총 25억 달러로 커질 것으로 보고 있다.
김세진 삼성전자 반도체 총괄 모바일전략그룹장(상무)는 “기존 휴대폰은 화상통화를 할 때 끊김 현상 등이 나타나지만 원D램을 이용할 경우 안정감있는 화상통화도 가능하다”며 “우선 휴대폰에 주로 사용되겠지만, 게임기와 내비게이션 등 다양한 디지털기기에도 쓰이면서 시장규모가 예측할 수 없을 정도로 확대될 것”이라고 말했다.
이에 앞서 삼성전자는 2004년 세계 최초로 퓨전 메모리인 ‘원낸드’를 선보였다. 원낸드는 낸드 플래시와 노어플래시의 장점을 결합시킨 플래시메모리 분야의 퓨전 메모리이다.
한편 황창규사장은 세계 최대 반도체 회사이자 삼성전자의 경쟁사인 인텔이 후원하는 앤디 그로브상을 수상했다. 황 사장은 이날 샌프란시스코 힐튼호텔에서 세계 전기ㆍ전자분야 최고 권위 단체인 IEEE이사회가 수여하는 ‘2006 IEEE 앤디 그로브 상’을 받았다. 이 상은 2000년 이후 세계 반도체 및 관련 분야에서 혁신적인 발전에 기여한 인사에게 수여되고 있으며, 반도체 학계 및 업계 저명인사들의 추천으로 진행된다.
특히 세계 반도체 1위이자 이 상의 후원사인 인텔이 황 사장을 추천한 점이 결정적 수상 배경이었다는 후문이다. 실제로 지금까지 이 상을 받은 6명은 대부분 학자거나 인텔과 관련된 인사였고 동양계 기업인으로는 황 사장이 처음이다.
인텔이 황 사장은 추천하게 된 것은 그가 1999년 256M 낸드 플래시를 개발한 뒤 올해 32기가 낸드 플래시를 내놓기까지 7년 연속 해마다 2배씩 메모리 용량이 늘어난 ‘메모리 신성장론’(황의 법칙)을 입증한 점이 가장 크게 작용했다. 황 사장은 “과거 성과에 대한 치하라기보다 미래의 ‘메가 트렌드’에 새롭게 도전하라는 채찍으로 이해하겠다”고 소감을 밝혔다.
박일근 기자 ikpark@hk.co.kr
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