중성빔이용 원자층 식각 개발

차세대 고집적 반도체 공정에 필요한 중성빔을 이용한 원자층 식각(Atomic Layer Etching) 기술이 개발됐다. 성균관대 염근영 교수 연구팀은 “중성빔을 이용한 원자층 식각 공정을 개발, 식각 중 발생하는 전기적 물리적 손상이 없고, 식각 깊이를 원자 규모로 조절할 수 있다”고 밝혔다.

염 교수는 “이번 기술은 차세대 나노소자 개발에 필요한 원자 단위의 식각 깊이 조절에 대한 원천 특허를 획득한 데 의미가 있다”며 “이번 연구결과가 2010년 본격 상용화될 경우 연간 4,000억원 이상의 수입대체 효과와 수출 효과를 거둘 것으로 기대된다”고 설명했다. 이번 연구성과는 관련분야 전문지 ‘Electrochemical & Solid-state Letters’ 9월호 등에 소개됐다.