90나노 1Gb D랩 삼성전자 양산돌입

삼성전자는 23일 세계 최초로 90나노(1나노=10억분의 1m, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1기가비트(Gb) DDR2 D램의 본격 양산에 돌입했다고 밝혔다.

90나노 공정은 기존 0.11미크론(㎛)급 공정에 비해 약 40%의 생산성 향상 효과가 있어 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 미세 메모리 생산기술이다.

지난해 9월부터 90나노 공정을 적용한 512메가비트(Mb) D램 생산을 시작해 ‘나노 D램 시대’를 연 삼성전자는 기가급 D램에도 90나노 공정을 세계 최초로 적용, D램 시장에서의 경쟁력을 강화하게 됐다.

삼성전자가 양산에 들어간 1Gb DDR2 D램은 1Gb D램으로는 처음으로 인텔의 인증도 획득했다.

삼성전자는 또 같은 생산라인, 같은 공정에서 마스크 교체 만으로 DDR2와 DDR을 함께 생산할 수 있는 ‘콤보다이’(Combo Die) 공정법을 적용한 양산 체제를 확보해 이르면 3분기부터 시장 상황에 따라 90나노 공정을 적용한 1Gb DDR 제품도 양산할 계획이다.

삼성전자 관계자는 “서버를 비롯한 PC 환경이 64비트 시대를 맞이하면서 이를 지원하는 메모리 용량도 지속적으로 증가할 것”이라며 “올해 4분기까지 90나노 1Gb 월 100만개 생산체제를 갖추는 등 90나노 D램 공정 비중을 40%로 확대할 계획”이라고 말했다.

김동국 기자 dkkim@hk.co.kr