현재 사용되고 있는 D램보다 속도가 최고 4배 빠르면서도 전력 소모는 20%가 적은 D램이 개발됐다. 삼성전자는 17일 차세대 D램 시장을 이끌 새로운 규격의 메모리 반도체인 DDR3(Double Data Rate 3) D램(사진)을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.
이 제품은 초고속 동작을 위한 신기술 적용으로 기가급(1.066Gbps)의 동작속도를 구현, DDR D램에 비해 4배, 최근 주력제품으로 떠오른 DDR2 보다는 2배가 빠르다. 또 메모리 제품 가운데 처음으로 1.5V의 저전압으로도 동작해 동작 전압이 1.8V인 DDR2에 비해 20% 가량 전력 소모를 줄일 수 있다.
삼성전자는 "회로선 폭이 80나노인 최첨단 기술 공정을 이용한 512Mb의 대용량으로, 세계 반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원하는 최초의 D램"이라며 "반도체 업계 최초로 개발함으로써 DDR, DDR2에 이어 3세대 연속으로 주력 D램 제품의 표준화를 주도하게 됐다는데 의미가 있다"고 설명했다.
업계에서는 데스크톱 PC, 노트북, 서버 등 컴퓨터시스템 등이 빠르게 고성능화하면서 올해 주력 메모리가 DDR에서 DDR2로 전환되는 것을 감안, DDR3 D램의 경우 내년에 초기 시장을 형성한 뒤 2007년 본격적인 성장기에 접어들 것으로 전망하고 있다. 반도체 전문 조사기관 IDC는 DDR3 D램이 2008년 전체 D램 시장의 37% 가량을 차지하면서 주력 제품으로 부상할 것이라고 내다봤다.
삼성전자는 현재 30% 가량인 DDR2 D램의 생산 비중을 올 연말까지 50% 선으로 높이고 내년 초부터는 DDR3도 양산 체제에 들어가 시장을 선점한다는 전략이다. 삼성전자는 "업계에서는 유일하게 컴퓨터시스템용 메인메모리 D램 3세대를 확보하게 됐다"며 "DDR3 D램 개발은 향후 4, 5년을 미리 준비한 것으로, 기술 방향을 주도하는 D램 분야에서의 위상을 다시 한번 확인했다"고 자평했다.
■ DDR D램이란
PC나 서버, 워크스테이션 등의 메인메모리로 쓰이며, 전원이 끊어지면 저장 데이터가 소실되는 D램 메모리 반도체의 일종이다. 1회 신호에 1개의 데이터를 처리하던 SD램 등 기존 D램과 달리 DDR D램은 1회 신호에 2개 데이터를 처리함으로써 속도를 2배 향상시켰다.
데이터 처리속도 등으로 세대를 구분하는데, 1997년 개발된 1세대 DDR의 동작속도는 266~400Mbps이나 이번에 개발된 3세대 DDR3 D램은 800Mbps~1.6Gbps로 최고 4배가 빠르다. 2001년 개발된 2세대 DDR2의 동작속도는 400~800Mbps다.
김동국기자 dkkim@hk.co.kr
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