삼성전자가 세계 최초로 70 나노(10억분의 1m) 공정기술을 적용한 4기가 바이트급 데이터 저장용(NAND) 플래시 메모리 반도체 개발에 성공했다.삼성전자 황창규(黃昌圭) 메모리사업부 사장은 29일 기자회견을 통해 이같이 밝히고 "초미세 가공기술인 나노 분야에서 선두주자로서의 위상을 굳혀 메모리 반도체 세계 1위의 지위를 이어갈 것"이라고 말했다.
★관련기사 B1면
삼성전자가 개발한 4기가 낸드 플래시 메모리를 활용해 생산 가능한 8기가 바이트급 메모리 카드 1장에는 신문 51만2,000장 또는 영화 4편(8시간 분량), MP3 음악파일 2,000곡(170시간) 등을 각각 한꺼번에 저장할 수 있다.
황 사장은 또 "올 연말까지 메모리 반도체 생산라인의 70%를 나노 공정으로 전환할 것"이라며 "3·4분기 반도체 매출과 이익 등에서 호조가 예상돼 올 전체 메모리 부문 이익도 지난해(2조7,000억원)보다 좋아질 것"이라고 예상했다.
/박천호기자 toto@hk.co.kr
기사 URL이 복사되었습니다.
세상을 보는 균형, 한국일보Copyright ⓒ Hankookilbo
신문 구독신청
댓글0