삼성전자는 16일 90나노(1나노=10억분의 1m) D램 반도체 양산 기술을 확보, 2기가 데이터 저장용(NAND) 플래시 메모리 반도체 시제품 생산에 성공했다고 발표했다. 90나노 기술을 적용한 2기가 플래시 메모리의 생산은 세계 최초로, 반도체 산업에서 나노 기술의 상용화 시대가 본격 개막했음을 의미한다.삼성전자는 2003년 3분기부터 월 2만장 생산규모의 300㎜ 웨이퍼 전용라인을 본격 가동, 90나노 2기가 NAND 플래시 메모리를 양산할 계획이다.
또 300㎜ 웨이퍼 전용라인에서 이뤄지는 차세대 512메가 D램 및 1기가 D램의 양산에도 90나노 기술을 적용하는 등 300㎜라인에서 플래시 메모리와 D램이 동시에 생산될 수 있도록 투자를 효율화해 300㎜ 웨이퍼 양산 시대를 주도해 나갈 계획이다.
삼성전자는 "90나노 공정으로 512메가 D램의 양산체제를 갖춘 것 역시 세계 최초"라며 "현재의 공정보다 생산성을 2배 이상 올려 세계시장 지배력을 강화할 전망"이라고 밝혔다. 삼성전자는 90나노 기술을 차세대 '퓨전(Fusion)' 메모리에도 적용할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 황창규(黃昌圭) 사장은 "지금까지의 메모리 최대 공급사의 위상을 넘어 PC 뿐만 아니라 서버, 워크스테이션, 휴대폰, 게임기, 디지털 TV 등 정보기술(IT) 및 디지털 제품군 전체에 사용 가능한 종합 메모리업체로서의 기능을 강화해 메모리 부문 매출을 2005년 140억달러, 2010년에는 250억달러로 확대할 계획"이라고 말했다.
/황상진기자 april@hk.co.kr
● NAND 플래시메모리
'90나노 D램'이란 반도체 회로 선의 폭이 90나노(0.09㎛)라는 뜻으로, 1나노는 머리카락 굵기의 1,250분의 1 크기다.
NAND 플래시메모리는 디지털 카메라, 게임기, 캠코더, 휴대폰 등에 사용되며 주로 동영상을 저장하는데 쓰인다. 2기가 NAND 플래시메모리는 엄지 손가락 크기의 4기가 메모리카드를 제작하는 데 쓰이며, 여기에 시사주간지 타임 100년치나 음악 CD 70장(약 1,000곡), 영화 4편(8시간) 분량의 데이터를 저장할 수 있다.
NAND 플래시메모리 기술이 응용되면 컴퓨터의 하드디스크드라이브등이 필요 없어져 전자기기의 모바일화, 멀티미디어화가 더욱 빨라진다.
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