*저전력 SD램 양산…3세대 이통 '눈독'삼성전자는 256M 저전력 SD램을 업계 처음으로 양산하기 시작, IMT-2000,PDA 등 3세대 휴대기기용 시장 선점에 나섰다.
삼성전자의 이번 제품은 회로선폭 0.15㎛ 공정을 적용하고 2.5V의 저전압에서 동작하도록 설계돼 저장용량은 크고 소비전력과 사이즈는 작은 반도체가 요구되는 차세대 휴대형 디지털 정보기기에 적합하다.
저전력 SD램은 PC에서 주기억장치로 사용되는 범용 SD램에 비해 시장가격이 훨씬 높을 뿐 아니라 최근 휴대기기용 SD램 시장의 본격화로 개발 경쟁이 치열한 고부가가치 반도체.
삼성전자는 “이번 제품 양산을 통해 IMT-2000폰, 디지털캠코더, 스마트폰, PDA, 디지털카메라 등에 탑재될 저전력 SD램 반도체 시장 선점에 유리한 위치를 확보하게 됐다”고 자평하고 있다.
특히 PASR, TSCR 등의 기술을 적용해 대기모드에서의 소비전력도 기존 제품에 비해 약 10분의1 수준으로 줄였으며, 초소형 반도체 패키지 기술인 CSP 기술로 제품의 크기를 기존제품보다 절반으로 축소했다.
삼성전자측은 “이번 256M 대용량 저전력 SD램의 조기 양산을 통해 초기 시장을 선점하고 2002년 휴대기기용 저전력 SD램 세계시장의 50% 이상을 점유하는 것을 목표로 하고 있다”고 밝혔다.
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