삼성전자가 세계 처음으로 512메가 D램 및 12인치 웨이퍼(반도체칩을 만드는 둥근 원판) 양산체제에 들어갔다.삼성전자는 29일 서울 신라 호텔에서 가진 내ㆍ외신 기자간담회에서 차세대 메모리 사업구상을 밝히면서 “내년부터는 0.10㎛급의 1기가 D램도 양산가능할 것”이라고 말했다.
세계 반도체업계 주력제품이 256메가급 및 8인치 웨이퍼임을 감안할 때 이번 조치로 삼성전자는 차세대 고부가가치시장을 선점하는 계기를 마련할 것으로 보인다.
삼성전자는 아울러 칩위에 회로를 그리는 미세선폭도 연말까지 0.12㎛급을 완성하고, 2003년엔 0.10㎛,2004년에는 0.07㎛까지 정밀화할 계획이라고 밝혔다.
삼성전자 메모리 사업부 황창규(黃昌圭) 사장은 “메모리사업구조를 고도화해 2005년엔 매출 200억달러를 달성, 메모리 반도체 독주체제를 이어갈 것”이라며 “메모리분야 뿐 아니라 전체 반도체 시장랭킹도 현재 4위권에서 2005년에는 인텔에 이어 2위로 끌어 올리겠다”고 말했다.
이성철기자
sclee@hk.co.kr
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