삼성전자는 27일 0.12㎛급 회로선폭을 적용한 567메가 램버스 D램 개발에 성공했다고 발표했다.이로써 삼성전자는 모든 D램 제품에서 0.12㎛ 회로기술을 확보, 원가 및 생산성 경쟁에서 한 발 앞서 나가게됐다. 567메가는 램버스 D램 가운데 가장 큰 기억용량이다.
삼성전자 관계자는 “극심한 반도체 가격하락에도 불구하고 램버스는 현재 유일하게 값이 상승하는 제품”이라며 “램버스시장에서 독주체제 구축이 가능해져 다른 D램제품 가격하락을 어느 정도 만회할 수 있게 됐다”고 말했다.
램버스 D램 가격은 128메가 기준으로 26일 현물시장에서 최고49달러를 기록, 이 달 들어서만 30% 가량 상승한 상태다.
램버스 D램은 일반 D램에 비해 처리속도가 7~8배 빠른 고성능 제품으로, 인텔의 펜티엄Ⅳ 칩셋에 탑재되며 대형서버 워크스테이션 게임기 등에 주로 사용된다.
이 관계자는 “램버스 D램의 회로선폭을 종전 0.15㎛에서 0.12㎛로 낮추는데 성공함에 따라 일반 SD램과 DDR을 포함, 모든 D램에서0.12㎛급 기술을 확보하게 됐다”며“0.12㎛ 공정을 적용할 경우 웨이퍼당 생산되는 칩의 수가 47% 가량 늘어나 그만큼 원가경쟁력이 높아진다”고 말했다.
이성철기자
sclee@hk.co.kr
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