◎서울대 김원찬교수 현대서 성능시험 성공/반도체 1기가 D램 집적가증/신문 8천1백92쪽 수용능력서울대 전자공학과 김원찬교수는 현재보다는 훨씬 간단한 공정으로 많은 양의 정보를 집적할 수 있는 차세대용 반도체 기억소자인 「멀티비트메모리셀」을 국내 최초로 개발했다.
김 교수가 개발한 기억소자는 트랜지스터 1개와 축전지 1개로 구성돼 수동적 동작을 하던 기존방법과 달리 여기에 트랜지스터 1개를 추가로 연결,증폭기로 사용해 능동적 동작을 하게 만들었다. 즉 축전지의 크기를 줄이면서 집적용량은 키워야했던 현재의 기억소자와 달리 축전지의 용량이 적어도 증폭기에 의해 정보의 양이 확대되도록 한 것이다. 기억소자란 반도체의 뇌세포와 같은 것이다.
현대전자 반도체 연구소가 김 교수의 연구결과를 적용해 만든 기억소자 시제품의 성능시험 결과에 의하면 ▲현재의 기억소자가 정보를 읽음과 동시에 심어놓은 정보가 파괴되는데 비해 여러번 정보를 읽을수 있는 비파괴형판독이 가능하며 ▲0과 1이란 정보만 처리할 수 있는 현재의 기억소자와 달리 0·1·2·3 등 여러개의 정보를 처리할 수 있으며 2분의 1,3분의 1 등까지 정보처리 할 수 있는 것으로 나타났다고 김 교수는 말했다.
김 교수에 의하면 현재의 기억소자로는 최근 국내에서 개발된 64메가D램외에 256메가D램까지는 개발이 가능하지만 1기가 D램 이상은 어려운 것으로 판단해왔는데 이번에 김 교수가 개발한 방법을 쓰면 적은 투자로 1기가 D램(10억개의 신호처리 능력·신문지 8천1백92면 수용능력)까지 집적회로(IC)의 집적도를 높일 수 있다고 한다.
김 교수는 이같은 연구결과를 작년에 미국·일본·독일 등 주요 반도체 생산국에 이미 특허를 출원했으며 한달전에 미국전기 및 전자공학회(IEEE)에 관련 논문을 제출했다.
이번 개발에대해 현대전자 반도체 연구소의 오계환소장은 『성능실험에서 좋은 결과를 보였다. 앞으로 김 교수와 연구를 계속해 제품화할 계획이다』고 말했다.
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