2021년부터 본격 양산

삼성전자가 3나노(1나노는 10억 분의 1m) 단위의 반도체 위탁생산(파운드리) 초미세 공정 기술을 개발해 관련 제품을 오는 2021년부터 양산한다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019(Samsung Foundry Forum 2019)'을 개최하고 '차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정'을 소개했다. GAA는 반도체 소비전력을 크게 줄이고 성능은 높일 수 차세대 기술이다.

삼성전자는 지난해 GAA 를 3나노 공정에 도입하겠다고 밝힌데 이어, 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 고객사인 반도체 설계회사(팹리스)에 배포했다.

공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체들이 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자의 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다. 삼성전자는 3나노 제품을 내년에 개발을 완료해 2021년부터 본격 양산한다는 계획이다.

이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다"라며 "이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다"고 말했다.

민재용 기자 insight@hankookilbo.com

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